四合院:我边做科研边吃瓜打小就清澈
第522章 分辨率10μm(第2页)
这些单晶硅片已经经过清洗、干燥等处理,对光刻胶的附着力此时是最大的。
然后高振东退后一步,将接下来的试验交给了马娟。
要的就是一开始的那个爽感,至于具体操作,这些试验人员比他手脚麻利多了,专业的事情还是交给专业的人去做。
要说高振东这个光刻机原始,那是真的原始,固定好硅片后,马娟开动开关,硅片开始旋转。
这是高振东的设计,一步到位,光刻胶的涂布,他直接上了旋涂法,前世我们最早的光刻机是用什么方法涂布他不知道,但他知道综合性能肯定是旋涂法最好。
旋涂法在单晶硅片这种平坦的简单表面涂布,平坦化能力强,容易控制厚度,涂层密度大,厚度均匀,不是没有缺陷,但是可以接受和处理。
旋转很快达到了预设的转速,在涂料确定的情况下,涂层厚度这些涂布结果参数与转速高度相关,旋转的同时,工件台也在对硅片进行加热,这是为了进一步去除表面重新附着的水汽。
这些小细节,都是高振东从前世带过来的,不起眼,但是很重要。
加热时间满足预设要求之后,旋转也早已稳定,马娟拿起了滴管。
没错,就是化学试验用的那种滴管,一点儿都不高大上,但是对于高振东这个光刻机来说够用了。
滴管天生就有不太精确的计量功能,例如一毫升水大概是15滴,总之就是当液体的粘稠度确定的话,那从滴管滴出来的每滴液体的体积基本上是一致的,换支滴管也是一样,只要是正常的滴管都一样。
多余的光刻胶会被旋转的硅片给甩出去的,这也是旋涂的优点。
马娟往旋转的硅片中心滴了一些光刻胶,光刻胶很快随着旋转,沿着硅片表面匀开来,非常均匀,仿佛不存在一样。
这也是托光刻胶和硅片的粘附性很好的福,否则在上光刻胶之前,还得上一遍衬底,以加强光刻胶的附着。
硅片缓缓停止旋转,此时,工件台再次开始对硅片进行加热,这是在固化光刻胶。
固化完成后,马娟开始按动电钮,调整工件台,将硅片置于光学系统下的合适位置。
虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围,不过考虑到拉晶的成品率,以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因,现在还是将硅片的规格定在了130mm,也就是大概5英寸的样子,不过这是我们的原生工艺,自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。
作为最早最原始的光刻机,高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻,这种方式硅片和掩模直接接触,分辨率比接近式要高。
但接触式光刻,硅片上的光刻胶或者个别灰尘,会污染和损坏掩模,用来搞研究可以,搞批产不太好。
他跨过接触式光刻,使用了接近式光刻,实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离,在10um这个数量级,这样就可以避免掩模的损坏了。
然后高振东退后一步,将接下来的试验交给了马娟。
要的就是一开始的那个爽感,至于具体操作,这些试验人员比他手脚麻利多了,专业的事情还是交给专业的人去做。
要说高振东这个光刻机原始,那是真的原始,固定好硅片后,马娟开动开关,硅片开始旋转。
这是高振东的设计,一步到位,光刻胶的涂布,他直接上了旋涂法,前世我们最早的光刻机是用什么方法涂布他不知道,但他知道综合性能肯定是旋涂法最好。
旋涂法在单晶硅片这种平坦的简单表面涂布,平坦化能力强,容易控制厚度,涂层密度大,厚度均匀,不是没有缺陷,但是可以接受和处理。
旋转很快达到了预设的转速,在涂料确定的情况下,涂层厚度这些涂布结果参数与转速高度相关,旋转的同时,工件台也在对硅片进行加热,这是为了进一步去除表面重新附着的水汽。
这些小细节,都是高振东从前世带过来的,不起眼,但是很重要。
加热时间满足预设要求之后,旋转也早已稳定,马娟拿起了滴管。
没错,就是化学试验用的那种滴管,一点儿都不高大上,但是对于高振东这个光刻机来说够用了。
滴管天生就有不太精确的计量功能,例如一毫升水大概是15滴,总之就是当液体的粘稠度确定的话,那从滴管滴出来的每滴液体的体积基本上是一致的,换支滴管也是一样,只要是正常的滴管都一样。
多余的光刻胶会被旋转的硅片给甩出去的,这也是旋涂的优点。
马娟往旋转的硅片中心滴了一些光刻胶,光刻胶很快随着旋转,沿着硅片表面匀开来,非常均匀,仿佛不存在一样。
这也是托光刻胶和硅片的粘附性很好的福,否则在上光刻胶之前,还得上一遍衬底,以加强光刻胶的附着。
硅片缓缓停止旋转,此时,工件台再次开始对硅片进行加热,这是在固化光刻胶。
固化完成后,马娟开始按动电钮,调整工件台,将硅片置于光学系统下的合适位置。
虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围,不过考虑到拉晶的成品率,以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因,现在还是将硅片的规格定在了130mm,也就是大概5英寸的样子,不过这是我们的原生工艺,自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。
作为最早最原始的光刻机,高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻,这种方式硅片和掩模直接接触,分辨率比接近式要高。
但接触式光刻,硅片上的光刻胶或者个别灰尘,会污染和损坏掩模,用来搞研究可以,搞批产不太好。
他跨过接触式光刻,使用了接近式光刻,实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离,在10um这个数量级,这样就可以避免掩模的损坏了。